发明名称 |
一种多晶硅薄膜太阳能电池 |
摘要 |
本实用新型公开了一种多晶硅薄膜太阳能电池,其结构为:FTO或AZO透明导电玻璃衬底/ZnO籽晶层/N型ZnO纳米阵列/P型多晶硅薄膜/金属电极,形成基于ZnO纳米阵列的n-ZnO/p-Si异质结太阳能电池。技术方案为:在FTO或AZO透明导电玻璃上制备ZnO籽晶层,在ZnO籽晶层上生长N型ZnO纳米阵列,在N型ZnO纳米阵列上制备P型多晶硅薄膜,最后在多晶硅薄膜上蒸镀金属电极。此结构特征在于N型ZnO纳米阵列可以直接深入至Si薄膜内部,实现多晶硅薄膜全面包覆ZnO纳米棒,充分利用纳米阵列传递载流子的作用,降低载流子复合几率,有效提升光伏转换效率。 |
申请公布号 |
CN203456485U |
申请公布日期 |
2014.02.26 |
申请号 |
CN201320409443.7 |
申请日期 |
2013.07.11 |
申请人 |
湖南师范大学 |
发明人 |
羊亿;陈丝懿;王高飞;孙汝廷 |
分类号 |
H01L31/072(2012.01)I;H01L31/0368(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/072(2012.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种基于ZnO纳米阵列的多晶硅薄膜太阳能电池,其特征在于,其结构依次包括:FTO或AZO透明导电玻璃衬底、ZnO籽晶层、N型ZnO纳米阵列、P型多晶硅薄膜、金属电极。 |
地址 |
410081 湖南省长沙市岳麓区麓山路36号 |