发明名称 一种多晶硅薄膜太阳能电池
摘要 本实用新型公开了一种多晶硅薄膜太阳能电池,其结构为:FTO或AZO透明导电玻璃衬底/ZnO籽晶层/N型ZnO纳米阵列/P型多晶硅薄膜/金属电极,形成基于ZnO纳米阵列的n-ZnO/p-Si异质结太阳能电池。技术方案为:在FTO或AZO透明导电玻璃上制备ZnO籽晶层,在ZnO籽晶层上生长N型ZnO纳米阵列,在N型ZnO纳米阵列上制备P型多晶硅薄膜,最后在多晶硅薄膜上蒸镀金属电极。此结构特征在于N型ZnO纳米阵列可以直接深入至Si薄膜内部,实现多晶硅薄膜全面包覆ZnO纳米棒,充分利用纳米阵列传递载流子的作用,降低载流子复合几率,有效提升光伏转换效率。
申请公布号 CN203456485U 申请公布日期 2014.02.26
申请号 CN201320409443.7 申请日期 2013.07.11
申请人 湖南师范大学 发明人 羊亿;陈丝懿;王高飞;孙汝廷
分类号 H01L31/072(2012.01)I;H01L31/0368(2006.01)I 主分类号 H01L31/072(2012.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种基于ZnO纳米阵列的多晶硅薄膜太阳能电池,其特征在于,其结构依次包括:FTO或AZO透明导电玻璃衬底、ZnO籽晶层、N型ZnO纳米阵列、P型多晶硅薄膜、金属电极。 
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