一种硅片减薄方法

摘要

本发明属于半导体集成电路制造工艺，尤其涉及一种硅片减薄方法。步骤1，将保护材料设置在硅片的正面；步骤2，用分阶段研磨的方式对所述硅片进行背面减薄，具体减薄过程分为两个阶段；步骤3，将研磨减薄后的硅片放入腐蚀液中，用磨砂轮以腐蚀速率v3进行湿法腐蚀；步骤4，将保护材料从硅片上去除。本发明减少了硅片在减薄过程中产生的缺陷，既保证了硅片减薄的批量化进行，又能有效地减少因为减薄所带来的背面缺陷和损伤层，并对个减薄和腐蚀过程中的厚度比例以及速率有精细的控制，所以减薄过程中硅片表面不会产生较多的缺陷和损伤，并通过减薄后的离子注入验证了缺陷减少的效果。

主权项

一种硅片减薄方法，其特征在于：步骤1，将保护材料设置在硅片的正面；步骤2，用分阶段研磨的方式对所述硅片进行背面减薄，具体减薄过程分为两个阶段：第一阶段先用300‑600目的磨砂轮对硅片进行减薄，此阶段减去的厚度为d1，减薄速率为v1，第二阶段再用1200‑2000目的磨砂轮对硅片进行减薄，此阶段采取低速率的研磨减薄，减薄速率为v2，所述的第一阶段减薄的厚度d1为总减薄厚度d的70%~92%，第一阶段减薄速率v1=1μm/s至5μm/s，所述的第二阶段减薄的厚度d2为总减薄厚度d的20%~5%，第二阶段减薄速率v2=0.01μm/s至0.5μm/s；步骤3，将研磨减薄后的硅片放入腐蚀液中，用磨砂轮以腐蚀速率v3进行湿法腐蚀，所述的腐蚀速率v3=0.005μm/s至0.1μm/s，湿法腐蚀减薄的厚度为d3，所述的腐蚀减薄的厚度d3为总减薄厚度d的10%~3%，减薄的总厚度d要满足d=d1+d2+d3，所述减薄的总厚度d为50μm至1000μm；步骤4，将保护材料从硅片上去除。