发明名称 一种高精度数字化的时域比较器
摘要 本发明公开了一种高精度数字化的时域比较器,包括:输入电路,与非门开关电路和输出电路,其中输入电路,含有:第一全差分输入信号(VINP)子电路、第二全差分输入信号(VINN)子电路、输入电路的反馈控制子电路,所述反馈控制电路在时钟信号控制下,根据输入的全差分输入信号相对大小,通过电容充放电的方法,在反馈回来的输出信号调控下,控制输出电压的电平,并通过电阻R<sub>D</sub>将电容放电电流线性化,以达到耗更低,精度更高,抗干扰能力更强的目的。
申请公布号 CN103607204A 申请公布日期 2014.02.26
申请号 CN201310572356.8 申请日期 2013.11.15
申请人 电子科技大学 发明人 樊华;李强;李广军
分类号 H03M1/38(2006.01)I 主分类号 H03M1/38(2006.01)I
代理机构 电子科技大学专利中心 51203 代理人 张杨
主权项 1.一种高精度数字化的时域比较器,其特征在于含有:输入电路、与非门开关电路和输出电路,其中:输入电路,含有:第一全差分输入信号(VINP)子电路、第二全差分输入信号(VINN)子电路、输入电路的反馈控制子电路;其中:第一全差分输入信号(VINP)子电路,含有:两个PMOS管:第一PMOS管(M5)和第二PMOS管(M7);三个NMOS管:第一NMOS管(M3)、第二NMOS管(M1)以及第三NMOS管(M9);第一电容(C1),其中:第一PMOS管(M5)、第一NMOS管(M3)和第二NMOS管(M1)依次串联,第一PMOS管(M5)的栅极和第一NMOS管(M3)的栅极都输入时钟信号(CLK),第二NMOS管(M1)的栅极接所述第一全差分输入信号(VINP),第二PMOS管(M7)、第三NMOS管(M9)依次串联,该第二PMOS管(M7)的漏极、第三NMOS管(M9)的漏极相连后构成所述输入电路的第一输出端(Outp),第二PMOS管(M7)的栅极和所述第一PMOS管(M5)、第一NMOS管(M3)这两个MOS管的漏极相连后接第一电容(C1),而该第一电容(C1)的另一端接地,第三NMOS管(M9)的栅极接所述时钟信号(CLK)的反相信号<img file="FDA0000414556410000011.GIF" wi="187" he="62" />而源极接地,第二全差分输入信号(VINN)子电路,含有:两个PMOS管:第三PMOS管(M6)和第四PMOS管(M8);三个NMOS管:第四NMOS管(M4)、第五NMOS管(M2)以及第六NMOS管(M10);第二电容(C2),其中:第三PMOS管(M6)、第四NMOS管(M4)以及第五NMOS管(M2)依次串联,第三PMOS管(M6)和第四NMOS管(M4)这两个MOS管的栅极相连后接所述时钟信号(CLK),第五NMOS管(M2)的栅极接所述第二全差分输入信号(VINN),第四PMOS管(M8)和第六NMOS管(M10)依次串联,该第四PMOS管(M8)的漏极、第六NMOS管(M10)的漏极相连后构成所述输入电路的第二输出端(Outn),第四PMOS管(M8)的栅极在与第三PMOS管(M6)、第四NMOS管(M4)这两个MOS管的漏极相连后接第二电容(C2),该第二电容(C2)的另一端接地,第六NMOS管(M10)的栅极接所述时钟信号(CLK)的反相信号<img file="FDA0000414556410000012.GIF" wi="185" he="62" />而源极接地,所述第一PMOS管(M5)、第二PMOS管(M7)、第三PMOS管(M6)和第四PMOS管(M8)这四个PMOS管的源极都与电源电压(VDD)相连,输入电路的反馈控制子电路,含有:第一与门(AND1),第七NMOS管(M11)以及第一电阻(R<sub>D</sub>),其中:第一与门(AND1)的第一输入端(G)为所述输入电路的反馈控制子电路的第一输入端,第一与门(AND1)的第二输入端(H)为所述输入电路的反馈控制子电路的第二输入端,第七NMOS管(M11)的栅极接第一与门(AND1)的输出,而该第七NMOS管(M11)的源极接第一电阻(R<sub>D</sub>)的正端,而该第一电阻(R<sub>D</sub>)的负端接地,第七NMOS管(M11)漏极和所述第二NMOS管(M1)、第五NMOS管(M2)这两个MOS管的源极相连,与非门开关电路,含有:第一与非门(X1)和第二与非门(X2),其中:第一与非门(X1)的第一输入端(Outp)为所述与非门开关电路第一输入端,第一与非门(X1)的第二输入端与所述第二与非门(X2)的输出端(H)相连,该输出端(H)构成所述与非门开关电路的第二输出端,第一与非门(X1)的第二输入端(Outn)为所述与非门开关电路第二输入端,第二与非门(X2)的第二个输入端与所述第一与非门(X1)的输出端(G)相连,该输出端(G)构成所述与非门开关电路的第一输出端,输出电路,含有:两个PMOS管:第五PMOS管(M12)和第六PMOS管(M14),两个NMOS管:第八NMOS管(M13)和第九NMOS管(M15),其中:第五PMOS管(M12)与第八NMOS管(M13)串联,且该第五PMOS管(M12)的栅极与第八NMOS管(M13)的栅极相连,构成所述输出电路的第一输入端(G),第五PMOS管(M12)的漏极与第八NMOS管(M13)的漏极相连后构成所述时域比较器的第一输出端(Out),而该第八NMOS管(M13)的源极接地,第六PMOS管(M14)与第九NMOS管(M15)串联,且该第六PMOS管(M14)的栅极与第九NMOS管(M15)的栅极相连,构成所述输出电路的第二输入端(H),第六PMOS管(M14)的漏极与所述第九NMOS管(M15)的漏极相连后构成所述时域比较器的第二输出端<img file="FDA0000414556410000021.GIF" wi="162" he="59" />而第九NMOS管(M15)源极接地,第五PMOS管(M12)的源极与第二与非门(X2)的输出端(H)相连,第六PMOS管(M14)的源极与第一与非门(X1)的输出端(G)相连,所述第一与非门(X1)第一输入端(Outp)即为所述输入电路的第一输出端(Outp),第二与非门(X2)第一输入端(Outn)同时作为所述输入电路的第二输出端(Outn),所述输入电路的反馈控制子电路的第一输入端(G)、输出电路的第一输入端(G)即为所述与非门开关电路第一输出端(G),所述输入电路的反馈控制子电路的第二输入端(H)、输出电路的第二输入端(H)即为所述与非门开关电路第二输出端(H)。
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号