发明名称 |
一种LED晶片结构 |
摘要 |
本实用新型公开了一种LED晶片结构,包括衬底、LED半导体层、透明导电层、第一透明绝缘层、正电极和负电极;LED半导体层包括依次设置的n型半导体层、发光层、p型半导体层;正电极延伸设置在衬底和LED半导体层的一侧,正电极与P型半导体层的端部、透明导电层的端部直接接触连接,或者仅通过透明导电层的端部直接接触连接,再或者省略掉透明导电层,与P型半导体层的端部直接接触连接;负电极延伸设置在衬底和LED半导体层的另一侧,负电极与LED半导体层中的n型半导体层的端部直接接触连接。本实用新型中的LED晶片结构,正电极、负电极延伸设置在两侧,LED晶片结构的散热性能、导电性能均较好,且封装时不再需要打金线,封装成本较低,封装工序简便。 |
申请公布号 |
CN203456493U |
申请公布日期 |
2014.02.26 |
申请号 |
CN201320513335.4 |
申请日期 |
2013.08.21 |
申请人 |
深圳市凯信光电有限公司 |
发明人 |
吴少红 |
分类号 |
H01L33/36(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I;H01L33/48(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/36(2010.01)I |
代理机构 |
深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 |
代理人 |
余敏 |
主权项 |
一种LED晶片结构,其特征在于:包括衬底、LED半导体层、透明导电层、第一透明绝缘层、正电极和负电极;所述LED半导体层包括依次设置的n型半导体层、发光层、p型半导体层; 所述衬底上依次设置有所述LED半导体层和透明导电层; 所述正电极延伸设置在所述衬底和所述LED半导体层的一侧;所述正电极与所述LED半导体层中的P型半导体层的端部、所述透明导电层的端部直接接触连接,所述第一透明绝缘层设置在所述正电极和所述LED半导体层的n型半导体层、发光层之间;或者,所述正电极与所述透明导电层的端部直接接触连接,所述第一透明绝缘层设置在所述正电极和所述LED半导体层的n型半导体层、发光层、p型半导体层之间; 所述负电极延伸设置在所述衬底和所述LED半导体层的另一侧,所述负电极与所述LED半导体层中的n型半导体层的端部直接接触连接。 |
地址 |
518000 广东省深圳市南山区高新区中区高新中一道9号软件大厦909室 |