| 发明名称 |
SEMI-CONDUCTOR COMPONENT WITH A PASSIVATION LAYER MADE FROM HYDROGENATED ALUMINIUM NITRIDE AND METHOD FOR SURFACE PASSIVATION OF SEMI-CONDUCTOR COMPONENTS |
| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit Basisemitter und elektrischen Kontakten sowie mind. einer Passivierungsschicht, die aus hydriertem Aluminiumnitrid besteht oder dieses im Wesentlichen enthält. Ebenso betrifft die Erfindung ein entsprechendes Verfahren zur Oberflächenpassivierung von Halbleiterbauelementen.</p> |
| 申请公布号 |
WO2014027075(A2) |
申请公布日期 |
2014.02.20 |
| 申请号 |
WO2013EP67108 |
申请日期 |
2013.08.16 |
| 申请人 |
FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. |
发明人 |
WOLKE, WINFRIED;WAGNER, FLORIAN;KRUGEL, GEORG |
| 分类号 |
H01L31/0216 |
主分类号 |
H01L31/0216 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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