| 发明名称 | 形成鳍部的方法和形成鳍式场效应晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 形成鳍部的方法和形成鳍式场效应晶体管的方法。其中，形成鳍部的方法包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面具有绝缘层，所述半导体衬底表面还具有第一鳍部，所述第一鳍部贯穿所述绝缘层，绝缘层高度低于第一鳍部高度；在所述第一鳍部的表面形成等离子体掺杂层，所述等离子体掺杂层为均匀的非晶相层；刻蚀掉所述等离子体掺杂层，形成第二鳍部，所述第二鳍部的尺寸小于第一鳍部的尺寸。本发明的技术方案可以进一步减薄鳍式场效应晶体管的鳍部尺寸，形成高性能的鳍式场效应晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN103594342A | 申请公布日期 | 2014.02.19 |
| 申请号 | CN201210287328.7 | 申请日期 | 2012.08.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 何永根 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种形成鳍部的方法，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面具有绝缘层，所述半导体衬底表面还具有第一鳍部，所述第一鳍部贯穿所述绝缘层，绝缘层高度低于第一鳍部高度；在所述第一鳍部的表面形成等离子体掺杂层，所述等离子体掺杂层为均匀的非晶相层；刻蚀掉所述等离子体掺杂层，形成第二鳍部，所述第二鳍部的尺寸小于第一鳍部的尺寸。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||