| 发明名称 | 一种平台型发光二极管的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种平台型发光二极管的制造方法，依次包括如下步骤：（1）在衬底上依次形成第一底透明导电层、底粗化层和第二底透明导电层；（2）在第二底透明导电层上依次形成p型半导体层、半导体发光层和n型半导体层；（3）采用刻蚀工艺，将p型半导体层、半导体发光层和n型半导体层的部分区域去除，直至完全露出第二底透明导电层的上表面为止；（4）在n型半导体层上依次形成第一顶透明导电层、顶粗化层和第二顶透明导电层；（5）在第二底透明导电层露出的上表面上以及在第二顶透明导电层的表面上分别形成底电极和顶电极。 | ||
| 申请公布号 | CN103594581A | 申请公布日期 | 2014.02.19 |
| 申请号 | CN201310495998.2 | 申请日期 | 2013.10.21 |
| 申请人 | 溧阳市东大技术转移中心有限公司 | 发明人 | 丛国芳 |
| 分类号 | H01L33/22(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/22(2010.01)I |
| 代理机构 | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人 | 黄明哲 |
| 主权项 | 一种平台型发光二极管的制造方法，依次包括如下步骤：（1）在衬底上依次形成第一底透明导电层、底粗化层和第二底透明导电层；（2）在第二底透明导电层上依次形成p型半导体层、半导体发光层和n型半导体层；（3）采用刻蚀工艺，将p型半导体层、半导体发光层和n型半导体层的部分区域去除，直至完全露出第二底透明导电层的上表面为止；（4）在n型半导体层上依次形成第一顶透明导电层、顶粗化层和第二顶透明导电层；（5）在第二底透明导电层露出的上表面上以及在第二顶透明导电层的表面上分别形成底电极和顶电极。 | ||
| 地址 | 213300 江苏省常州市溧阳市溧城镇东门大街67号 | ||