发明名称 |
直拉单晶炉磁场装置及使用该磁场装置的拉晶方法 |
摘要 |
本发明公开一种直拉单晶炉磁场装置,用于向坩埚中的熔体施加磁场。所述直拉单晶炉磁场装置包括围绕所述坩埚上下设置的第一线圈及第二线圈,第一线圈及第二线圈均与坩埚同轴。所述第一线圈和第二线圈共同形成的磁场具有下凹的分界面。所述分界面上方区域的磁场强度为零。所述分界面具有相对的第一侧边和第二侧边,所述第一侧边和第二侧边均沿所述坩埚的侧壁的延长线向远离所述坩埚的方向延伸。本发明的直拉单晶炉磁场装置造价低,可产生变化的磁场,尤其是在熔体内部具有高磁场强度、在分界面上方磁场强度为零的特定形状的磁场,可有效抑制熔体热对流,利于单晶稳定生长并获得高品质单晶。本发明还提供一种使用该直拉单晶炉磁场装置的拉晶方法。 |
申请公布号 |
CN103590109A |
申请公布日期 |
2014.02.19 |
申请号 |
CN201310368359.X |
申请日期 |
2013.08.21 |
申请人 |
西安隆基硅材料股份有限公司;无锡隆基硅材料有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;银川隆基硅材料有限公司 |
发明人 |
李定武;周锐;李侨;邓浩;马自成 |
分类号 |
C30B30/04(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I |
主分类号 |
C30B30/04(2006.01)I |
代理机构 |
西安弘理专利事务所 61214 |
代理人 |
罗笛 |
主权项 |
一种直拉单晶炉磁场装置,用于向坩埚(102)(102)中的熔体施加磁场,所述直拉单晶炉磁场装置包括围绕所述坩埚(102)上下设置的第一线圈(12)及第二线圈(13),所述第一线圈(12)及第二线圈(13)均与所述坩埚(102)同轴,所述第一线圈(12)和第二线圈(13)共同形成的磁场具有下凹的分界面,所述分界面上方区域的磁场强度为零,所述分界面具有相对的第一侧边和第二侧边,所述第一侧边和第二侧边均沿所述坩埚(102)的侧壁的延长线向远离所述坩埚(102)的方向延伸。 |
地址 |
710100 陕西省西安市长安区航天中路388号 |