发明名称 三维高压栅极驱动器集成电路
摘要 一种三维(3D)栅极驱动器集成电路包含一个堆栈在低端集成电路上的高端集成电路,利用贯穿硅通孔TSV,将高端集成电路和低端集成电路互连。因此,可以不需要端接区和掩埋层就能制备高端集成电路和低端集成电路。这种3D栅极驱动器集成电路提高了高压集成的易用性,增强了栅极驱动器集成电路的强度和可靠性。
申请公布号 CN103595384A 申请公布日期 2014.02.19
申请号 CN201310346456.9 申请日期 2013.08.09
申请人 万国半导体股份有限公司 发明人 雪克·玛力卡勒强斯瓦密
分类号 H03K17/687(2006.01)I 主分类号 H03K17/687(2006.01)I
代理机构 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 代理人 张静洁;张妍
主权项 一种三维栅极驱动器集成电路,包含:一个低端集成电路,带有一个低端驱动器以及一个第一LDMOS晶体管,低端集成电路接收低端输入信号和高端输入信号,并且提供低端输出信号;一个高端集成电路,带有一个高端驱动器、一个第一负载电路和一个门闩电路,高端集成电路提供高端输出信号;一个高压钝化层形成在低端集成电路和高端集成电路之间;一个贯穿硅通孔形成在高端集成电路和高压钝化层中,贯穿硅通孔在该处将第一负载电路电连接到形成在低端集成电路上的第一LDMOS晶体管的漏极端上,其中,第一LDMOS晶体管和第一负载电路构成电平转移电路,第一LDMOS晶体管接收与高端输入信号有关的第一信号,并且为门闩电路提供第一电平转移信号,门闩电路产生用于驱动高端驱动器的驱动信号。
地址 美国加利福尼亚桑尼维尔奥克米德公园道475号