发明名称 | 交换偏置薄膜难易磁化方向的测试方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种磁性测量方法,确切讲是一种对于具有交换偏置的磁性薄膜材料的难易磁化方向测试方法。本发明的方法是在一外加直流磁场中放置被测样品薄膜,使被测样品薄膜平面与外磁场方向平行,并且使被测样品薄膜可绕与其平面相垂直的轴转动,在进行测试时,任意施加一给定外磁场,保持其大小不变,记录样品所处的初始位置和此时的磁化强度大小,然后每将被测样品薄膜转动一个角度,测量出在该角度θ0状态下被测薄膜自发磁化强度MS在外磁场方向的相应的投影值M,由此得到被测样品薄膜在不同转角θ0与对应的M值的函数,根据测量所得M-θ0曲线确定交换偏置薄膜易磁化轴或难磁化轴。 | ||
申请公布号 | CN102253351B | 申请公布日期 | 2014.02.19 |
申请号 | CN201110096326.5 | 申请日期 | 2011.04.15 |
申请人 | 兰州大学 | 发明人 | 薛德胜;隋文波;范小龙 |
分类号 | G01R33/12(2006.01)I | 主分类号 | G01R33/12(2006.01)I |
代理机构 | 兰州振华专利代理有限责任公司 62102 | 代理人 | 张晋 |
主权项 | 交换偏置薄膜难易磁化方向的测试方法,其特征是在一外加直流磁场H中放置被测样品薄膜,使被测样品薄膜平面与外磁场方向平行,并且使被测样品薄膜绕与外磁场平面相垂直的轴转动,在进行测试时,任意施加一给定外磁场,保持其大小不变,记录样品所处的初始位置和此时的磁化强度大小,然后每将被测样品薄膜转动一个角度,测量出在该角度θ0状态下被测薄膜自发磁化强度MS在外磁场方向的相应的投影值M,由此得到被测样品薄膜在不同转角θ0与对应的M值的函数,根据测量所得M~θ0曲线确定交换偏置薄膜易磁化轴或难磁化轴。 | ||
地址 | 730000 甘肃省兰州市天水南路222号 |