阵列基板及其制作方法

摘要

一种阵列基板的制作方法，包括下列步骤。于基板上依序形成栅极电极与栅极介电层。于栅极介电层上依序形成半导体层、蚀刻阻挡层、硬掩膜层以及第二图案化光致抗蚀剂。利用第二图案化光致抗蚀剂对硬掩膜层进行过蚀刻工艺，以形成图案化硬掩膜层。利用第二图案化光致抗蚀剂对蚀刻阻挡层进行第一蚀刻工艺。利用第二图案化光致抗蚀剂对半导体层进行第二蚀刻工艺，以形成图案化半导体层。将未被图案化硬掩膜层覆盖的蚀刻阻挡层移除以形成图案化蚀刻阻挡层。

主权项

一种阵列基板的制作方法，包括：提供一基板；进行一第一光罩工艺，以于该基板上形成一栅极电极；形成一栅极介电层，以覆盖该基板以及该栅极电极；进行一第二光罩工艺，该第二光罩工艺包括：于该栅极介电层上依序形成一半导体层、一蚀刻阻挡层以及一硬掩膜层，并于该硬掩膜层上形成一第二图案化光致抗蚀剂；利用该第二图案化光致抗蚀剂对该硬掩膜层进行一过蚀刻工艺，以于该蚀刻阻挡层上形成一图案化硬掩膜层；利用该第二图案化光致抗蚀剂对该蚀刻阻挡层进行一第一蚀刻工艺；利用该第二图案化光致抗蚀剂对该半导体层进行一第二蚀刻工艺，以于该栅极介电层上形成一图案化半导体层；以及将未被该图案化硬掩膜层覆盖的该蚀刻阻挡层移除以于该图案化半导体层上形成一图案化蚀刻阻挡层；以及进行一第三光罩工艺，以于该图案化蚀刻阻挡层与该图案化半导体层之上形成一源极电极以及一漏极电极。