半导体装置的制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：准备第一导电类型的衬底；在衬底上形成第二导电类型的外延层；在外延层上形成绝缘层，在至少形成发射极区域或者集电极区域的区域的所述绝缘层上形成开口部；洗净所述外延层表面之后，将含有扩散于所述外延层的钨的水溶液涂敷在所述半导体层表面，使从所述开口部露出的所述外延层表面为亲水性；将含有形成所述发射极区域或者集电极区域的杂质的液体源极涂敷在所述外延层上，使所述钨及所述杂质热扩散到所述外延层中。由于上述特点，该方法能够提高半导体装置的电流放大率；同时能够降低污染。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：准备第一导电类型衬底；在衬底上形成第二导电类型的外延层；在外延层上形成绝缘层，在至少形成发射极区域或者集电极区域的区域的所述绝缘层上形成开口部；洗净所述外延层表面之后，将含有扩散于所述外延层的钨的水溶液涂敷在所述半导体层表面，使从所述开口部露出的所述外延层表面为亲水性；将含有形成所述发射极区域或者集电极区域的杂质的液体源极涂敷在所述外延层上，使所述钨及所述杂质热扩散到所述外延层中。