发明名称 发光二极管的制作方法
摘要 本发明公开一种发光二极管的制作方法,其包括形成一外延结构于一外延基板之上;形成一保护层于外延结构之上;移除部分保护层、外延结构及外延基板,以形成至少一通道;形成一平坦化层于通道及保护层上;去除外延结构上的平坦化层及保护层;形成一反射层于外延结构之上;形成一第一接合层于反射层之上;提供一导电基板,并形成一第二接合层于导电基板上,且透过第一接合层与第二接合层以接合导电基板于反射层上;分离外延基板及外延结构;以及形成一隔离沟槽于外延结构,隔离沟槽暴露出反射层。
申请公布号 CN103594565A 申请公布日期 2014.02.19
申请号 CN201210459218.4 申请日期 2012.11.15
申请人 奇力光电科技股份有限公司;佛山市奇明光电有限公司 发明人 林忠欣;吴奇隆;邱信嘉;张瑞君;朱长信
分类号 H01L33/00(2010.01)I 主分类号 H01L33/00(2010.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 陈小雯
主权项 一种发光二极管的制作方法,包括:形成一外延结构于一外延基板之上;形成一保护层于该外延结构之上;移除部分该保护层、该外延结构及该外延基板,以形成至少一通道;形成一平坦化层于该通道及该保护层上,其中该平坦化层填满该通道;去除该外延结构上的该平坦化层及该保护层;形成一反射层于该外延结构之上;形成一第一接合层于该反射层之上;提供一导电基板;形成一第二接合层于该导电基板上,并透过该第一接合层与该第二接合层以接合该导电基板于该反射层上;分离该外延基板及该外延结构;以及形成一隔离沟槽于该外延结构,该隔离沟槽暴露出该反射层。
地址 中国台湾台南市