发明名称 用于毫米波频段的基片集成天线及其阵列天线
摘要 本发明公开了一种在高增益应用时能够实现宽频/多频特性的用于毫米波频段的基片集成天线及其阵列天线。该天线通过在第二金属覆铜层设置两条长度不同的缝隙,且第一缝隙与第一基片集成波导单元中心线之间的距离和第二缝隙距离第一基片集成波导单元中心线的距离不相同,可引入不同频率的谐振特性,当两个谐振频点落在工作频带内,分别位于该频段的高端和低端,相隔较近,可以耦合连通起来,从而改善整个频带内天线驻波特性,实现宽频带特性;当两个谐振频点相隔较远,耦合较弱,不能连通起来,就形成了两个单独谐振,形成双频特性,从而在高增益应用时能够实现宽频/多频特性。适合在微波毫米波天线技术领域推广应用。
申请公布号 CN103594779A 申请公布日期 2014.02.19
申请号 CN201310598107.6 申请日期 2013.11.22
申请人 电子科技大学 发明人 程钰间;王磊;吴杰;黄伟娜
分类号 H01Q1/36(2006.01)I;H01Q1/50(2006.01)I;H01Q5/01(2006.01)I;H01Q21/00(2006.01)I 主分类号 H01Q1/36(2006.01)I
代理机构 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 代理人 李顺德;王睿
主权项 用于毫米波频段的基片集成天线,包括从上往下依次层叠设置的第一金属覆铜层(1)、第一介质层(2)、第二金属覆铜层(3)、第二介质层(4)和第三金属覆铜层(5),其特征在于:所述第一介质层(2)上设置有辐射单元,所述辐射单元包括设置在第一介质层(2)上的辐射通孔(6)并且所述辐射通孔(6)贯穿第一金属覆铜层(1)、第一介质层(2);所述第二介质层(4)上设置有耦合馈电单元,所述耦合馈电单元包括第一基片集成波导单元和馈电单元,在第二介质层(4)上设置U形金属化通孔阵列并且所述U形金属化通孔阵列贯穿第二金属覆铜层(3)、第二介质层(4)和第三金属覆铜层(5)形成所述第一基片集成波导单元,所述U形金属化通孔阵列包括两排平行于第一基片集成波导单元中心线的金属化通孔(7)和一排垂直于第一基片集成波导单元中心线的金属化通孔(7),所述馈电单元包括两条设置在第二金属覆铜层(3)上并且平行于第一基片集成波导单元中心线的缝隙,分别为第一缝隙(8)、第二缝隙(9),第一缝隙(8)的长度小于第二缝隙(9)的长度,第一缝隙(8)、第二缝隙(9)位于U形金属化通孔阵列围成的U形空间内并且位于辐射通孔(6)下方,第一缝隙(8)与第一基片集成波导单元中心线之间的距离和第二缝隙(9)距离第一基片集成波导单元中心线的距离不相同。
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