发明名称 等离子体成膜装置以及等离子体成膜方法
摘要 一种等离子体成膜装置,具有与被成膜物相向的高频电极以及与被成膜物连接的接地电极,使用在高频电极与接地电极之间发生的等离子体对被成膜物进行成膜,其中,高频电极具有:第1高频电极(101),与被成膜物(100)的第1被成膜面(113)相向;以及第2高频电极(102),与被成膜物中的和第1被成膜面相反一侧的第2被成膜面(114)相向,第1高频电极、第2高频电极以及接地电极(103)使得用于第1被成膜面的成膜的第1高频电极以及接地电极之间的等离子体、和用于第2被成膜面的成膜的第2高频电极以及接地电极之间的等离子体同时发生。
申请公布号 CN103597115A 申请公布日期 2014.02.19
申请号 CN201180071560.0 申请日期 2011.08.30
申请人 三菱电机株式会社 发明人 浜笃郎
分类号 C23C16/505(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I 主分类号 C23C16/505(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 金光华
主权项 一种等离子体成膜装置,具有与被成膜物相向的高频电极以及与所述被成膜物连接的接地电极,使用在所述高频电极与所述接地电极之间发生的等离子体对所述被成膜物进行成膜,所述等离子体成膜装置的特征在于,所述高频电极具有:第1高频电极,与所述被成膜物的第1被成膜面相向;以及第2高频电极,与所述被成膜物中的和所述第1被成膜面相反一侧的第2被成膜面相向,所述第1高频电极、所述第2高频电极以及所述接地电极使得用于所述第1被成膜面的成膜的所述第1高频电极以及所述接地电极之间的等离子体、和用于所述第2被成膜面的成膜的所述第2高频电极以及所述接地电极之间的等离子体同时发生。
地址 日本东京
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