一种利用溅射沉积金属制备硅纳米线的方法

摘要

本发明公开了一种利用溅射沉积金属制备硅纳米线的方法，属于微纳加工领域。首先将（100）单晶硅片清洗、干燥后，利用离子溅射镀膜方法在硅片上沉积金属金；然后在室温下配制氢氟酸和双氧水的混合溶液，将镀金后的硅片正面朝上置于溶液中，湿法刻蚀所需时间；最后将硅片取出，立即用异丙醇冲洗，利用氮气吹干，得到硅纳米线结构。本发明的方法不需要高温以及复杂的设备，在常温下就可以制备大面积的硅纳米线结构，其工艺流程简单，成本低廉，并且纳米线的尺寸可调。

主权项

一种利用溅射沉积金属制备硅纳米线的方法，其特征在于，制备步骤如下：a）将（100）单晶硅片清洗、干燥后，利用离子溅射镀膜方法在硅片上沉积金属金；b）在室温下配制氢氟酸和双氧水的混合溶液，将镀金后的硅片正面朝上置于溶液中，湿法刻蚀所需时间；c）将硅片取出，立即用异丙醇冲洗，利用氮气吹干，得到硅纳米线结构。