| 发明名称 | 置于集成电路产品中装置层级的电容器及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种置于集成电路产品中装置层级的电容器及其制作方法，其中，本文所揭露的一种描述性集成电路产品包括置于半导体衬底上方的第一金属金属化层、置于衬底表面与第一金属金属化层底部之间的电容器，其中，电容器包括以相对于衬底表面实质垂直的方向定向的多个导电板，以及置于多个导电板之间的绝缘材料的至少一区域。 | ||
| 申请公布号 | CN103579178A | 申请公布日期 | 2014.02.12 |
| 申请号 | CN201310341508.3 | 申请日期 | 2013.08.07 |
| 申请人 | 格罗方德半导体公司 | 发明人 | K·Y·杨;P·R·贾斯汀森 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种集成电路产品，其包含：置于半导体衬底上方的第一金属金属化层；置于该衬底的表面和该第一金属金属化层的底部所界定的垂直空间中的电容器，该电容器包含以相对于该衬底的该表面实质垂直的方向定向的多个导电板；以及置于该多个导电板之间的绝缘材料的至少一区域。 | ||
| 地址 | 英属开曼群岛大开曼岛 | ||