非易失性存储器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种非易失性存储器件及其制造方法，所述方法包括以下步骤：在限定单元区和外围区并且具有源极区的衬底之上形成层叠结构，所述层叠结构包括层间电介质层和牺牲层；穿过单元区的层叠结构而形成与衬底连接的沟道层；在单元区的层叠结构中形成第一缝隙；在层叠结构中形成第二缝隙，所述第二缝隙包括第一部分和第二部分；去除经由第一缝隙和第二缝隙暴露出的牺牲层；形成导电层以填充去除了牺牲层的空间；在第二缝隙中形成绝缘层；以及通过将导电材料掩埋在形成有绝缘层的第二缝隙的第一部分中来形成源极接触。

主权项

一种制造非易失性存储器件的方法，所述方法包括以下步骤：在限定单元区和外围区并且具有源极区的衬底之上形成层叠结构，所述层叠结构包括交替层叠的多个层间电介质层和多个牺牲层；穿过所述单元区的层叠结构而形成与所述衬底连接的多个沟道层；在所述单元区的层叠结构中形成第一缝隙，使得所述第一缝隙具有足够的深度以至少穿通最下面的牺牲层；在所述层叠结构中形成第二缝隙，所述第二缝隙包括：具有足够的深度以暴露出所述单元区中的源极区的第一部分，以及具有比所述第一部分更小的宽度的在所述外围区中的第二部分；去除经由所述第一缝隙和所述第二缝隙而暴露出的所述牺牲层；形成多个导电层以填充去除了所述牺牲层的空间；在所述第二缝隙中形成绝缘层；以及通过将导电材料掩埋在形成有所述绝缘层的第二缝隙的第一部分中来形成源极接触。