| 发明名称 | 半导体器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法包括：形成场效应晶体管（FET），以及形成包括石墨烯层并且电连接到所述FEF的熔丝。 | ||
| 申请公布号 | CN103578955A | 申请公布日期 | 2014.02.12 |
| 申请号 | CN201310314122.3 | 申请日期 | 2013.07.24 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 朱文娟 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 于静;张亚非 |
| 主权项 | 一种形成半导体器件的方法，包括：形成场效应晶体管（FET）；以及形成包括石墨烯层并且电连接到所述FET的熔丝。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||