一种增强开关速度和开关均匀性的IGBT器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种功率器件及其制造方法，具体涉及一种增强开关速度和开关均匀性的IGBT器件及其制造方法。该IGBT器件包括发射极PAD区域、栅PAD区域、栅Finger区域、栅Bus区域和终端区域。所述栅PAD区域位于器件中心位置，发射极PAD区域分布在栅PAD四周，栅Finger区将发射极PAD区域分开，栅Bus区域包围着发射极PAD区域，所述终端区位于栅Bus区域外围。本发明通过改进传统的多晶硅层与金属层结构设计，使得IGBT器件在开关过程中对元胞栅极的充电和放电速度加快，从而使IGBT器件整体的开关速度增快。与传统的IGBT器件结构相比，本发明加快了IGBT的开关速度，同时提高了IGBT元胞开关过程的均匀性。

主权项

一种增强开关速度和开关均匀性的IGBT器件，所述IGBT器件包括位于器件中心位置的栅PAD区域，在所述栅PAD区域四周分别对称设有栅Finger铝引线，在两两栅Finger铝引线之间均设有发射极PAD区域，其特征在于，所述栅PAD区域通过栅Finger铝引线与栅Bus区域铝引线连接，所述栅Bus区域铝引线为连通的闭合回线，所述发射极PAD区域的至少一角通过多晶硅条和接触孔与终端保护环第一条金属场板连接；所述栅Finger铝引线和栅Bus区域铝引线设置在IGBT器件的金属层。