| 发明名称 | 制造碳化硅衬底的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造碳化硅衬底的方法，包括如下步骤：制备由碳化硅制成的晶锭；通过切割所制备的晶锭获得碳化硅衬底；蚀刻碳化硅衬底的硅表面；以及在蚀刻碳化硅衬底之后对碳化硅衬底的蚀刻表面进行抛光。蚀刻碳化硅衬底的硅表面的步骤包括利用氯气从蚀刻区移除形成碳化硅的硅原子的步骤，蚀刻区包括碳化硅衬底的蚀刻主面。 | ||
| 申请公布号 | CN103578925A | 申请公布日期 | 2014.02.12 |
| 申请号 | CN201310247103.3 | 申请日期 | 2013.06.20 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 本家翼;冲田恭子 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/08(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 李兰;孙志湧 |
| 主权项 | 一种制造碳化硅衬底的方法，包括如下步骤：制备由碳化硅制成的晶锭；通过切割所述制备的晶锭获得碳化硅衬底；蚀刻所述碳化硅衬底的一个主面；以及在蚀刻所述碳化硅衬底之后对所述碳化硅衬底的一个主面进行抛光，蚀刻所述碳化硅衬底的所述一个主面的步骤包括利用包含卤素原子的气体从蚀刻区移除形成所述碳化硅的硅原子的步骤，所述蚀刻区是包括所述碳化硅衬底的所述主面的区域。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||