发明名称 一种绿色原位的聚二甲基硅氧烷微芯片修饰方法
摘要 一种绿色原位的聚二甲基硅氧烷微芯片修饰方法,步骤如下:,将原位生成的PDA/AuNPs复合材料牢固地固定于PDMS微芯片通道表面,再用缓冲溶液连续冲洗微通道5分钟,洗脱掉通道内的残留物,即获得亲水性强和稳定性好的PDA/AuNPs复合材料修饰的聚二甲基硅氧烷微芯片通道。本发明的技术效果是:可用于功能化PDMS微流控芯片的大批量生产。本发明所制得的产品不仅可用于对氨基酸的分离及检测,还在医药分析、临床诊断、环境监测和食品分析等领域有良好的应用前景。
申请公布号 CN102435658B 申请公布日期 2014.02.12
申请号 CN201110216307.1 申请日期 2011.07.29
申请人 南昌大学 发明人 梁汝萍;孟祥英;邱建丁;刘春鸣
分类号 G01N27/447(2006.01)I 主分类号 G01N27/447(2006.01)I
代理机构 南昌洪达专利事务所 36111 代理人 刘凌峰
主权项 一种绿色原位的聚二甲基硅氧烷微芯片修饰方法,其特征在于步骤如下:将一定浓度的DA和HAuCl4在磷酸盐缓冲溶液中超声混匀,利用真空泵将其注入聚二甲基硅氧烷微芯片分离通道内,连续抽取5分钟使混合溶液布满整个聚二甲基硅氧烷微芯片分离通道,室温放置使反应完全,在此过程中,HAuCl4诱导DA聚合生成PDA,而HAuCl4则被还原为Au NPs,生成的Au NPs原位负载于PDA的内部和表面,与此同时,利用PDA极强的粘附性,将原位生成的PDA/Au NPs复合材料牢固地固定于聚二甲基硅氧烷微芯片分离通道表面,再用磷酸盐缓冲溶液连续冲洗聚二甲基硅氧烷微芯片分离通道5分钟,洗脱掉通道内的残留物,即获得亲水性强和稳定性好的PDA/Au NPs复合材料修饰的聚二甲基硅氧烷微芯片。
地址 330000 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号