氮化物半导体装置

摘要

本发明的氮化物半导体装置具备：在氮化物半导体层之上形成的第1电极布线层以及第2电极布线层、在第1电极布线层以及第2电极布线层之上形成且具有第1开口部的第1绝缘膜、在第1绝缘膜之上形成且经由第1开口部而与第1电极布线层以及第2电极布线层分别连接的第1布线层(17a)以及第2布线层(17b)、在第1布线层以及第2布线层之上形成且具有第2开口部的第2绝缘膜(18)、和在第2绝缘膜之上形成且经由第2开口部而与第1布线层以及第2布线层分别连接的第1焊盘层(22a)以及第2焊盘层(22b)。

主权项

一种氮化物半导体装置，其具备：基板；氮化物半导体层，其形成在所述基板之上，具有活性区域；第1电极布线层以及第2电极布线层，其在所述氮化物半导体层中的所述活性区域之上交替分离地形成；第1绝缘膜，其形成在所述第1电极布线层以及第2电极布线层之上，具有使所述第1电极布线层以及第2电极布线层露出的多个第1开口部；第1布线层以及第2布线层，在所述第1绝缘膜之上彼此分离地形成，所述第1布线层经由所述第1开口部而与所述第1电极布线层电连接且与所述第1电极布线层相交叉地延伸，所述第2布线层经由所述第1开口部而与所述第2电极布线层电连接且与所述第2电极布线层相交叉地延伸；第2绝缘膜，其形成在所述第1布线层以及第2布线层之上，具有使所述第1布线层以及第2布线层露出的多个第2开口部；和第1焊盘层以及第2焊盘层，在所述第2绝缘膜之上彼此分离地形成，所述第1焊盘层经由所述第2开口部而与所述第1布线层电连接且位于所述活性区域之上，所述第2焊盘层经由所述第2开口部而与所述第2布线层电连接且位于所述活性区域之上。