| 发明名称 | 半导体装置以及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，其能够以较高的定位精度在预定范围内形成寿命控制区。在半导体装置（1）中，在同一半导体基板上并存有IGBT元件区（J1）和二极管元件区（J2）。IGBT元件区（J1）具备第二导电型的漂移层（60）和第一导电型的体层（30）。二极管元件区（J2）具备第二导电型的漂移层（60）和第一导电型的阳极层（31）。二极管元件区（J2）的漂移层（60）中所含有的重金属（62）的密度，与IGBT元件区（J1）的漂移层（60）中所含有的重金属（62）的密度相比较高。 | ||
| 申请公布号 | CN103582936A | 申请公布日期 | 2014.02.12 |
| 申请号 | CN201180071452.3 | 申请日期 | 2011.06.09 |
| 申请人 | 丰田自动车株式会社 | 发明人 | 妹尾贤;山葺伦央 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/322(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人 | 黄威;苏萌萌 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其在同一半导体基板上并存有绝缘栅双极性晶体管元件区和二极管元件区，所述半导体装置的特征在于，绝缘栅双极性晶体管元件区具备第二导电型的漂移层和第一导电型的体层，二极管元件区具备第二导电型的漂移层和第一导电型的阳极层，二极管元件区的漂移层中所含有的重金属的密度与绝缘栅双极性晶体管元件区的漂移层中所含有的重金属的密度相比较高。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||