| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，所述装置包括：一半导体基板；一栅极，形成于该半导体基板的一部分上，包括依序堆叠于该半导体基板部分上的一介电层与一导电层；一间隔物，顺性地覆盖该栅极的表面并接触该半导体基板的一部分，包括一氮化硅层以及多个氧化硅层；以及一对源极/漏极区，分别形成于该栅极的对称侧的该半导体基板的一部分内。本发明可避免元件间的短路情形。 | ||
| 申请公布号 | CN103579338A | 申请公布日期 | 2014.02.12 |
| 申请号 | CN201210281553.X | 申请日期 | 2012.08.09 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张艳杰;张浴月 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，包括：一半导体基板；一栅极，形成于该半导体基板的一部分上，包括依序堆叠于该半导体基板部分上的一介电层与一导电层；一间隔物，顺性地覆盖该栅极的表面并接触该半导体基板的一部分，包括一氮化硅层以及多个氧化硅层；以及一对源极/漏极区，分别形成于该栅极的对称侧的该半导体基板的一部分内。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县 | ||