发明名称 |
静态随机存储器之写入冗余度改善的方法 |
摘要 |
一种静态随机存储器之写入冗余度改善的方法,包括:步骤S1:提供硅基衬底,并形成浅沟槽隔离;步骤S2:形成NMOS器件和作为上拉晶体管的PMOS器件;步骤S3:在NMOS器件和作为上拉晶体管的PMOS器件之源极区和漏极区进行源漏注入,并沉积氮化硅保护层;步骤S4:对NMOS器件和作为上拉晶体管的PMOS器件进行源漏退火工艺;步骤S5:刻蚀除去氮化硅保护层。本发明通过在制备应力记忆效应工艺光刻版时,使上拉晶体管之PMOS器件区域与NMOS器件被覆盖,在应力记忆效应工艺中,上拉晶体管和NMOS器件均被氮化硅保护层覆盖,之后进行源漏退火工艺,上拉晶体管的空穴迁移率被降低,从而增大上拉晶体管的等效电阻,在写入过程中,降低第二节点电位,从而提高其写入冗余度。 |
申请公布号 |
CN103579118A |
申请公布日期 |
2014.02.12 |
申请号 |
CN201310492066.2 |
申请日期 |
2013.10.18 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
俞柳江 |
分类号 |
H01L21/8244(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/8244(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
陆花 |
主权项 |
一种静态随机存储器之写入冗余度改善的方法,其特征在于,所述方法包括:执行步骤S1:提供硅基衬底,并在所述硅基衬底内形成所述浅沟槽隔离;执行步骤S2:在所述浅沟槽隔离之间间隔形成所述NMOS器件和所述作为上拉晶体管的PMOS器件;执行步骤S3:在所述NMOS器件之源极区和漏极区,以及所述作为上拉晶体管的PMOS器件之源极区和漏极区进行源漏注入后,并在所述NMOS器件和所述作为上拉晶体管的PMOS器件之异于所述硅基衬底一侧沉积所述氮化硅保护层;执行步骤S4:对所述NMOS器件和所述作为上拉晶体管的PMOS器件进行源漏退火工艺;执行步骤S5:刻蚀除去所述氮化硅保护层。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区高科技园区高斯路568号 |