发明名称 一种基于nand flash的高可靠线性文件系统
摘要 本发明公开了一种基于nand flash的高可靠线性文件系统,nand flash包括sdram存储器,nvram非易失存储器和nand flash存储阵列;该文件系统包括硬件抽象层和软件层,所述硬件抽象层用于实现对硬件IO的访问,所述软件层通过访问硬件抽象层的接口实现对文件的操作,所述软件层包括分区表初始化模块、文件管理模块和文件存取模块。本发明实现了对基于nand flash的设备的文件管理,具有可移植性高、效率高、以文件方式实现数据存取、自动循环记录、断电保护文件等特点。
申请公布号 CN103577574A 申请公布日期 2014.02.12
申请号 CN201310541079.4 申请日期 2013.11.05
申请人 中船重工(武汉)凌久电子有限责任公司 发明人 袁松;何冲;毛先俊
分类号 G06F17/30(2006.01)I 主分类号 G06F17/30(2006.01)I
代理机构 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人 唐万荣
主权项 一种基于nand flash的高可靠线性文件系统,其特征在于,所述文件系统包括硬件抽象层和软件层,所述硬件抽象层用于实现对硬件IO的访问,所述软件层通过访问硬件抽象层的接口实现对文件的操作,所述软件层包括:分区表初始化模块,用于对分区表进行初始化;文件信息初始化模块,用于初始化文件的始末地址、打开方式、文件名和文件大小信息;文件管理模块,用于对文件进行管理;所述文件管理模块包括:文件创建子模块,用于完成创建新文件;文件存取模块,用于控制文件的读取与写入操作;所述文件存取模块包括:文件写入子模块,用于按采用顺序地址方式将数据从sdram存储器中的缓冲区搬移至分区中文件指针指向的存储区域;文件循环写入子模块,用于分区空间满时,自动删除最旧文件并写入新文件;文件实时写入子模块,用于将数据写入分区前先缓冲至nvram非易失存储器中;文件读取子模块,用于将数据从分区读取到sdram存储器中,然后从sdram存储器中取走。
地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路718号