| 发明名称 | 半导体装置及形成半导体结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明是有关于半导体装置及形成半导体结构的方法。该方法，首先形成一第一层于一基板上。之后，形成且图案化一掩膜层于该第一层之上。蚀刻部分通过该第一层。形成一第二层于该第一层之上。以及，藉由非微影工艺蚀刻通过该第一层及该第二层。藉此本发明可以形成具有较小临界尺寸的改良接触窗孔洞/介层孔结构。 | ||
| 申请公布号 | CN103579086A | 申请公布日期 | 2014.02.12 |
| 申请号 | CN201210260017.1 | 申请日期 | 2012.07.25 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 裘元杰 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 一种形成半导体结构的方法，其特征在于其包括以下步骤：形成一第一层于一基板上；形成且图案化一掩膜层于该第一层之上；蚀刻部分通过该第一层；形成一第二层于该第一层之上；以及藉由非微影工艺蚀刻通过该第一层及该第二层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||