半导体装置及其驱动方法

摘要

本发明公开了一种半导体装置及其驱动方法。该半导体装置包括：形成在衬底(11)上、具有沟道区域的半导体层叠层体(13)，在半导体层叠层体(13)上相互有间隔地形成的第一电极(16A)和第二电极(16B)，形成在第一电极(16A)和第二电极(16B)之间的第一栅电极(18A)，以及形成在第一栅电极(18A)和第二电极(16B)之间的第二栅电极(18B)。在半导体层叠层体(13)和第一栅电极(18A)之间形成有具有p型导电性的第一控制层(19A)。

主权项

一种半导体装置，其中：该半导体装置包括：半导体层叠层体，形成在衬底上、具有沟道区域且由氮化物半导体形成的半导体构成，第一电极与第二电极，相互间有间隔地形成在所述半导体层叠层体上，第一栅电极与第二栅电极，该第一栅电极形成在所述第一电极与所述第二电极之间，该第二栅电极形成在该第一栅电极和所述第二电极之间，形成在所述半导体层叠层体与所述第一栅电极之间、由具有p型导电性的氮化镓或者具有p型导电性的氮化铝镓构成的第一控制层，和形成在所述半导体层叠层体与所述第二栅电极之间、由具有p型导电性的氮化镓或者具有p型导电性的氮化铝镓构成的第二控制层；所述半导体层叠层体的最上层具有第一部分和膜厚比该第一部分薄的第二部分；所述第一控制层与所述第二控制层形成在所述第一部分上；在所述第一控制层与所述第二控制层之间，所述半导体层叠体的最上层是所述第二部分。