半导体器件制造方法

摘要

半导体器件制造方法。本发明改善侧墙掩模的半导体制造方法。在本发明中，形成了阻挡层和牺牲层，通过采用CMP工艺，将侧墙上部左右两侧差异较大的部分磨掉，留下侧墙底部近似矩形的部分，并以其为掩膜进行随后的侧墙掩模技术，这样可以尽可能的降低因侧墙形貌不对称而对后续刻蚀造成的不良后果。

主权项

一种半导体器件制造方法，用于改善侧墙转移技术中的侧墙掩模，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底，在该半导体衬底上依次形成阻挡层和牺牲层，并进行图案化；全面性沉积侧墙材料层；各向异性地回刻蚀所述侧墙材料层，仅保留位于所述阻挡层和所述牺牲层的侧面上的所述侧墙材料层，从而形成侧墙；全面性沉积中间介质层，所述中间介质层完全覆盖所述阻挡层、所述牺牲层和所述侧墙；进行CMP工艺，以所述阻挡层的上表面为CMP工艺的终止点，去除所述阻挡层的上表面之上的所述中间介质层、所述牺牲层和所述侧墙，剩余的所述侧墙形成侧墙掩模；去除所述阻挡层和剩余的所述中间介质层，在所述半导体衬底上仅留存所述侧墙掩模。