| 发明名称 | 单晶硅半导体晶片及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及单晶硅半导体晶片及其制造方法。该半导体晶片具有不含BMD缺陷并且从半导体晶片的正面延伸至半导体晶片块体内的区域DZ以及包含BMD缺陷并且从DZ进一步延伸至半导体晶片块体内的区域。所述方法包括根据Czochralski法提拉硅单晶，将单晶加工成为经抛光的单晶硅基底晶片，对基底晶片快速的加热和冷却，对经过快速的加热和冷却的基底晶片缓慢的加热，及将该基底晶片在特定的温度下保持特定的时间。 | ||
| 申请公布号 | CN103578976A | 申请公布日期 | 2014.02.12 |
| 申请号 | CN201310341923.9 | 申请日期 | 2013.08.07 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | T·米勒;G·基辛格;D·科特;A·扎特勒 |
| 分类号 | H01L21/322(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/322(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 李振东;过晓东 |
| 主权项 | 用于制造单晶硅半导体晶片的方法，该晶片具有不含BMD缺陷的区域DZ以及与DZ邻接的包含BMD缺陷的区域，该方法包括根据Czochralski法提拉硅单晶；将单晶加工成为经抛光的单晶硅基底晶片，该晶片从中心直至边缘由N区域组成或者具有尺寸大于20nm且其平均密度小于2.5×105/cm3的COP缺陷，而且该晶片的氮浓度不大于1×1012个原子/cm3，氧浓度不小于5.2×1017个原子/cm3且不大于6.0×1017个原子/cm3；在基本上由NH3和氩以不小于1:25且不大于1:5的体积比组成的气氛中将基底晶片快速加热至不小于1165℃且不大于1180℃的温度并快速冷却，其中加热速率和冷却速率不小于30K/s且不大于50K/s；将经过快速加热和冷却的基底晶片从不小于500℃且不大于550℃的温度以不小于0.5K/min且不大于1.5K/min的加热速率缓慢加热至不小于930℃且不大于1000℃的温度；及将基底晶片保持在不小于930℃且不大于1000℃的温度历时不小于7小时且不大于10小时。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||