| 发明名称 | 一种全压接式功率器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种功率半导体器件，具体涉及一种全压接式功率器件。全压接功率器件由上下电极配合多层材料与硅片实现全压接式接触，消除了因焊接疲劳导致的器件失效。与传统IGBT模块作为单一器件使用相比，芯片紧固力与器件紧固力由不同的器件分别提供，有效提高器件串联使用时的紧固力，不再受功率芯片压力承受极限的限制，满足多个器件串联使用的要求。 | ||
| 申请公布号 | CN103579165A | 申请公布日期 | 2014.02.12 |
| 申请号 | CN201310538589.6 | 申请日期 | 2013.11.04 |
| 申请人 | 国家电网公司;国网智能电网研究院;国网上海市电力公司 | 发明人 | 韩荣刚;张朋;刘文广;苏莹莹;金锐;于坤山;凌平;包海龙;张宇;刘隽 |
| 分类号 | H01L23/495(2006.01)I;H01L23/492(2006.01)I;H01L23/16(2006.01)I;H01L23/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/495(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人 | 徐国文 |
| 主权项 | 一种全压接式功率器件，所述功率器件为平板压接式封装结构，其特征在于：所述功率器件包括从上到下依次设置的第一接触电极（7）、第一辅助件（2）、芯片（1）、第二辅助件（3）和第二接触电极（8）；与所述芯片（1）轴向垂直的方向上对称设有框架（6）；所述第一接触电极（7）和第二接触电极（8）通过壳体（9）互相连接，在第一辅助件（2）一侧依次设有导电触片（4）及弹簧件（5）； 外界施加于所述功率器件的紧固力通过第一接触电极（7）、框架（6）和第二接触电极（8）来承受，所述芯片（1）的紧固力通过安装在第一接触电极（7）内的弹簧件（5）来提供。 | ||
| 地址 | 100031 北京市西城区西长安街86号 | ||