| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法与操作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法与操作方法。半导体结构包括一衬底、一主体结构、一第一介电层、一第一条状导电块和一第二条状导电块、一第二介电层以及一导电结构。主体结构形成于衬底上，第一介电层形成于衬底上并围绕主体结构的两侧壁和顶部。第一条状导电块和第二条状导电块分别形成于第一介电层的两侧壁上。第二介电层形成于第一介电层、第一条状导电块及第二条状导电块上，导电结构形成于第二介电层上。 | ||
| 申请公布号 | CN103579248A | 申请公布日期 | 2014.02.12 |
| 申请号 | CN201210282154.5 | 申请日期 | 2012.08.09 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 陈士弘;吕函庭 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：一衬底；一主体结构，形成于该衬底上；一第一介电层，形成于该衬底上并围绕该主体结构的两侧壁和一顶部；一第一条状导电块和一第二条状导电块，分别形成于该第一介电层的两侧壁上；一第二介电层，形成于该第一介电层、该第一条状导电块及该第二条状导电块上；以及一导电结构，形成于该第二介电层上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||