快闪存储器元件的制造方法

摘要

一种快闪存储器元件的制造方法，包括：提供一基底；形成多个浅沟槽隔离结构于基底中，其中上述浅沟槽隔离结构的上部部分突出基底的表面，使浅沟槽隔离结构间包括凹槽；形成一穿隧氧化层于基底上；及形成一浮置闸极层于基底上方，且填入上述凹槽中，其中形成浮置闸极层包括形成一第一导电层作为种晶层和形成一第二导电层于第一导电层上。本发明提供的一种快闪存储器元件的制造方法，可解决浮置闸极层因为于晶粒太大造成空隙的问题。

主权项

一种快闪存储器元件的制造方法，其特征是，所述方法包括：提供一基底；形成多个浅沟槽隔离结构于所述基底中，其中所述多个浅沟槽隔离结构的上部部分突出所述基底的表面，使所述多个浅沟槽隔离结构之间包括凹槽；形成一穿隧氧化层于所述基底上；及形成一浮置闸极层于所述基底上方，且填入所述多个凹槽中，其中形成所述浮置闸极层的步骤包括形成一第一导电层作为种晶层和形成一第二导电层于所述第一导电层上。