发明名称 |
发光器件 |
摘要 |
本发明提供发光器件。根据本实施方案的发光器件包括:发光结构,给发光结构包括有第一导电半导体层在第一导电半导体层下方的有源层以及在有源层下方的第二导电半导体层;第一电极,该第一电极电连接到第一导电半导体层;电流阻挡层,该电流阻挡层设置在发光结构下方并且具有通过穿过有源层设置在第一导电半导体层中的顶表面;第一金属层,该第一金属层设置在电流阻挡层上并且接触第一导电半导体层;以及反射电极,该反射电极电连接到第二导电半导体层。 |
申请公布号 |
CN103579430A |
申请公布日期 |
2014.02.12 |
申请号 |
CN201310340983.9 |
申请日期 |
2013.08.07 |
申请人 |
LG伊诺特有限公司 |
发明人 |
丁焕熙 |
分类号 |
H01L33/14(2010.01)I;H01L33/36(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/14(2010.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
顾晋伟;全万志 |
主权项 |
一种发光器件包括:发光结构,所述发光结构包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下方的有源层以及在所述有源层下方的第二导电半导体层;第一电极,所述第一电极电连接到所述第一导电半导体层;电流阻挡层,所述电流阻挡层设置在所述发光结构下方并且具有通过穿过所述有源层而设置在所述第一导电半导体层中的顶表面;第一金属层,所述第一金属层设置在所述电流阻挡层上并且接触所述第一导电半导体层;以及反射电极,所述反射电极电连接到所述第二导电半导体层。 |
地址 |
韩国首尔 |