相变化记忆装置及其制造方法

摘要

一种相变化记忆装置，包括：一基板，具有一第一电极层于其上；一第一介电层，形成于该第一电极层与该基板之上；复数个杯形加热电极，分别设置于该第一介电层之一部内；一第一絶缘层，沿一第一方向设置于该第一介电层上，且部分覆盖于该些杯形加热电极及其间之该第一介电层；一第二绝缘层，沿一第二方向设置于该第一絶缘层且部分覆盖于该些杯形加热电极及其间之该第一介电层；一对相变化材料层，分别设置于该第二绝缘层之两对称侧壁上且实体接触该些杯形加热电极之一；以及一对第一导电层，分别沿该第二方向设置于该第二绝缘层之上。