发明名称 |
具有蚀刻停止层之电晶体结构及其制作方法 |
摘要 |
本发明系为一种具有蚀刻停止层之电晶体结构及其制作方法。本发明之电晶体结构,至少由基板、结晶半导体层、蚀刻停止结构、欧姆接触层、源极、汲极、闸极绝缘层以及闸极所构成。本发明之制作方法可藉由相同之光罩同时图案化欧姆接触层及结晶半导体层,或藉由相同之另一光罩同时图案化欧姆接触层及电极层。 |
申请公布号 |
TWI426608 |
申请公布日期 |
2014.02.11 |
申请号 |
TW099129110 |
申请日期 |
2010.08.30 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号 |
发明人 |
胡晋玮;庄景桑;陈佳榆 |
分类号 |
H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
主分类号 |
H01L29/78 |
代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼 |
主权项 |
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行二路1号 |