| 摘要 |
本发明之实施例提供处理制程，以在气相沉积腔室中之制程期间降低基板之污染。处理制程可在例如原子层沉积(ALD)制程之气相沉积制程之前、期间或之后进行。在ALD制程之一例子中，含有中间处理步骤及预定循环数目之ALD循环的制程循环系重复进行，直至沉积材料具有所需厚度。腔室及基板在处理制程期间可暴露于惰性气体、氧化气体、氮化气体、还原气体或其电浆。在一些例子中，处理气体可含有臭氧、水、氨、氮、氩或氢。在一例子中，在批次制程腔室中沉积氧化铪材料之制程包括预处理步骤、ALD制程之中间处理步骤及后处理步骤。 |
