发明名称 |
规则排列金属层之制造方法 |
摘要 |
一种规则排列金属层之制造方法,包含下列步骤。将基材浸置于一电解水溶液中,其中基材之表面未经过改质,此电解水溶液包含金属离子。然后,利用线性伏安扫描法施加电流于此基材,以使金属离子于基材上形成规则排列具方向性之单晶金属层。 |
申请公布号 |
TWI426161 |
申请公布日期 |
2014.02.11 |
申请号 |
TW100121656 |
申请日期 |
2011.06.21 |
申请人 |
国立中兴大学 台中市南区国光路250号 |
发明人 |
窦维平;邱咏达 |
分类号 |
C30B29/02;C25D3/02;C25D5/00 |
主分类号 |
C30B29/02 |
代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼 |
主权项 |
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地址 |
台中市南区国光路250号 |