交点自对准缩减胞元尺寸相变记忆体

摘要

揭露一可编程记忆阵列其中相变记忆胞元是在存取装置处与在位线与字线的交点处自对准，一种制作阵列的方法使用线光罩以定义位线和另一线光罩以定义字线，前段制程(FEOL)记忆胞元是在同一层如同多晶矽闸，位线与字线在该装置上相交，且该记忆阵列胞元形成在位线与字线的相交处。