| 发明名称 | 迁移抑制层形成用处理液以及具有迁移抑制层的层叠体的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种迁移层形成用处理液，其用以形成抑制配线间的铜离子的迁移，并提升配线间的绝缘可靠性的迁移抑制层。本发明的迁移抑制层形成用处理液是用以形成抑制铜配线或铜合金配线中的离子迁移的迁移抑制层的处理液，其含有唑化合物与水，且溶解氧量为7.0ppm以下。 | ||
| 申请公布号 | CN103563496A | 申请公布日期 | 2014.02.05 |
| 申请号 | CN201280024295.5 | 申请日期 | 2012.05.17 |
| 申请人 | 富士胶片株式会社 | 发明人 | 南一守;佐藤真隆 |
| 分类号 | H05K3/28(2006.01)I;C23F11/00(2006.01)I | 主分类号 | H05K3/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 臧建明 |
| 主权项 | 一种迁移抑制层形成用处理液，其特征在于，用以形成抑制铜配线或铜合金配线中的离子迁移的迁移抑制层，所述迁移抑制层形成用处理液含有唑化合物与水，且溶解氧量为7.0ppm以下。 | ||
| 地址 | 日本东京港区西麻布二丁目26番30号 | ||