发明名称 | 局部分级深度材料光栅超慢太赫兹波导 | ||
摘要 | 本实用新型涉及金属或半导体光栅、波导技术领域,为解决太赫兹波低速传输的问题,精确控制太赫兹波传输速率,且结构简单,结果精确可控,具有可操作性,为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是,局部分级深度材料光栅超慢太赫兹波导,在局部分级深度材料表面刻写有周期形式的凹槽,凹槽深度一部分固定不变,另一部分分级变化,具体为前半段太赫兹传播起始阶段为渐变深度,后半段凹槽深度固定不变。本实用新型主要应用于太赫兹波低速传输。 | ||
申请公布号 | CN203423242U | 申请公布日期 | 2014.02.05 |
申请号 | CN201320523703.3 | 申请日期 | 2013.08.26 |
申请人 | 天津大学 | 发明人 | 史伟;郭宝山;姚建铨 |
分类号 | H01P3/12(2006.01)I | 主分类号 | H01P3/12(2006.01)I |
代理机构 | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人 | 刘国威 |
主权项 | 一种局部分级深度材料光栅超慢太赫兹波导,其特征是,在局部分级深度材料表面刻写有周期形式的凹槽,凹槽深度一部分固定不变,另一部分分级变化,具体为前半段太赫兹传播起始阶段为渐变深度,后半段凹槽深度固定不变。 | ||
地址 | 300072 天津市南开区卫津路92号 |