| 发明名称 | 低k膜的制造方法、半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种低k膜的制造方法、半导体装置及其制造方法。其中，包括多孔二氧化硅膜的低介电常数膜的疏水性通过如下步骤改善：将多孔二氧化硅膜形成用原料涂布至衬底上，及进行气相转移处理以将衬底暴露于未添加水的有机胺蒸气的气氛中。同时，通过将孔径控制在预定的范围内，实现介电常数降低、漏电流降低以及机械强度改善。 | ||
| 申请公布号 | CN101887853B | 申请公布日期 | 2014.02.05 |
| 申请号 | CN201010003231.X | 申请日期 | 2010.01.11 |
| 申请人 | PS4拉斯口有限责任公司 | 发明人 | 长义纪;吉川公縻 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 杨海荣;穆德骏 |
| 主权项 | 一种包含多孔二氧化硅膜的低介电常数膜的制造方法，所述方法包括：通过将多孔二氧化硅膜形成用原料涂布至衬底，在衬底上形成多孔二氧化硅前体膜；和通过将在衬底上形成的所述多孔二氧化硅前体膜暴露于未添加水的有机胺蒸气的气氛中，对所述多孔二氧化硅前体膜进行气相转移处理。 | ||
| 地址 | 卢森堡卢森堡市 | ||