发明名称 |
一种高致密度陶瓷基复合材料及其制备方法和应用 |
摘要 |
本发明公开了一种高致密度陶瓷基复合材料及其制备方法和应用,二硼化锆-二硅化锆-碳化钨陶瓷基复合材料,是以二硼化锆粉末、二硅化锆和碳化钨为原料(纯度>98.0%),采用两步热压烧结工艺制备的。其中,二硼化锆粉末的质量份数为75~90%,在陶瓷基复合材料中加入较高含量的二硼化锆,有利于提升复合材料的物化性能;二硅化锆的质量份数为10~15%,将此质量份数的二硅化锆加入到陶瓷基复合材料中,能够明显降低材料制备的烧结温度;碳化钨的质量份数为0~10%,加入的碳化钨能够促进材料内部晶粒的各向异性增长。三种原始粉末的晶粒尺寸为1~5微米,此范围的晶粒尺寸有利于各相的均匀混合。本发明用作高超声速飞行器表面隔热层,具有高致密度、高力学性能的特点。 |
申请公布号 |
CN103553626A |
申请公布日期 |
2014.02.05 |
申请号 |
CN201310449885.9 |
申请日期 |
2013.09.27 |
申请人 |
大连理工大学 |
发明人 |
沙建军;韦志强;李建;代吉祥 |
分类号 |
C04B35/58(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/58(2006.01)I |
代理机构 |
大连智慧专利事务所 21215 |
代理人 |
刘琦 |
主权项 |
一种高致密度陶瓷基复合材料,其特征在于,为二硼化锆‑二硅化锆‑碳化钨混合粉末热压烧结制得的陶瓷基复合材料,其中: 所述二硼化锆的质量份数为:75~90%; 所述二硅化锆的质量份数为:10~15%; 所述碳化钨的质量份数为:0~10%; 三者纯度为98.0~99.9%。 |
地址 |
116024 辽宁省大连市高新技术产业园区凌工路2号 |