发明名称 一种高致密度陶瓷基复合材料及其制备方法和应用
摘要 本发明公开了一种高致密度陶瓷基复合材料及其制备方法和应用,二硼化锆-二硅化锆-碳化钨陶瓷基复合材料,是以二硼化锆粉末、二硅化锆和碳化钨为原料(纯度>98.0%),采用两步热压烧结工艺制备的。其中,二硼化锆粉末的质量份数为75~90%,在陶瓷基复合材料中加入较高含量的二硼化锆,有利于提升复合材料的物化性能;二硅化锆的质量份数为10~15%,将此质量份数的二硅化锆加入到陶瓷基复合材料中,能够明显降低材料制备的烧结温度;碳化钨的质量份数为0~10%,加入的碳化钨能够促进材料内部晶粒的各向异性增长。三种原始粉末的晶粒尺寸为1~5微米,此范围的晶粒尺寸有利于各相的均匀混合。本发明用作高超声速飞行器表面隔热层,具有高致密度、高力学性能的特点。
申请公布号 CN103553626A 申请公布日期 2014.02.05
申请号 CN201310449885.9 申请日期 2013.09.27
申请人 大连理工大学 发明人 沙建军;韦志强;李建;代吉祥
分类号 C04B35/58(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I 主分类号 C04B35/58(2006.01)I
代理机构 大连智慧专利事务所 21215 代理人 刘琦
主权项 一种高致密度陶瓷基复合材料,其特征在于,为二硼化锆‑二硅化锆‑碳化钨混合粉末热压烧结制得的陶瓷基复合材料,其中: 所述二硼化锆的质量份数为:75~90%; 所述二硅化锆的质量份数为:10~15%; 所述碳化钨的质量份数为:0~10%; 三者纯度为98.0~99.9%。 
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