集成电路的隔离结构及形成其的模块方法

摘要

多种半导体衬底的隔离结构包括衬底中形成的沟槽，该沟槽在用电介质填充或者用导电材料填充并且沿沟槽的壁用电介质衬层。所述沟槽可以与掺杂的侧壁隔离区结合使用。所述沟槽和侧壁隔离区可以是环形的并且围绕衬底的隔离袋区。所述隔离结构通过模块注入和蚀刻工艺而形成而，其不包括显著的热处理或掺杂剂的扩散，使得所得的结构紧凑并且可以被紧密地群集在所述衬底的表面中。

主权项

一种在第一导电类型的半导体衬底中形成的隔离结构，所述衬底不包括外延层，所述结构包括：与所述第一导电类型相反的第二导电类型的底隔离区，埋设在所述衬底中；从所述衬底的表面向下延伸的环形电介质填充沟槽，所述沟槽的底部位于所述底隔离区上方；和所述第二导电类型的环形侧壁区，仅从所述电介质填充沟槽的底部向下延伸至少至所述底隔离区，使得所述环形侧壁区交叠所述底隔离区，所述底隔离区，电介质填充沟槽和环形侧壁区一起包围所述衬底的隔离袋区。