一种碳化硅外延生长装置

摘要

本发明提出了一种碳化硅外延生长装置，该装置为圆柱形，其中由外至内依次设置加热线圈、石英壁、石墨软毡、石墨支撑层和由其围成的反应腔，反应腔两端分别设有进气装置和出气装置，石墨支撑层内壁镀有镀层，并排设置的补气管为与圆柱形轴向平行通过石墨软毡并垂直通过石墨支撑层的L型补气管，补气管内壁镀有镀层。该装置中的补气管提供的气体对气流下方起到了补偿作用，使得气流上方和下方的浓度分布趋于一致，使得碳化硅外延层的厚度均匀性得以改进；抑制了气体中的气相成核，可提高生长速率，可快速制备超厚高度均匀碳化硅外延片。且该生长装置结构简单，制作简单，实施简单，制造成本低，外延生长速率快，质量优良，容易安装和操作，适合工业化生产。

主权项

一种碳化硅外延生长装置，所述装置为圆柱形，其中由外至内依次设置加热线圈、石英壁、石墨软毡、石墨支撑层和由其围成的反应腔，所述反应腔两端分别设有进气装置和出气装置，所述石墨支撑层内壁镀有镀层，其特征在于：并排设置的补气管为与所述圆柱形轴向平行通过所述石墨软毡并垂直通过所述石墨支撑层的L型补气管，所述补气管内壁镀有镀层。