| 发明名称 | 低轮廓局部互连及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的实施例提供一种结构。该结构包括：多个场效应晶体管，这些场效应晶体管具有形成在半导体基板的顶部上的栅极堆叠，栅极堆叠具有形成在其侧壁的间隙壁；以及一个或多个导电接触，直接形成在半导体基板的顶部上，并且将多个场效应晶体管之一的至少一个源极/漏极互连到多个场效应晶体管的另一个的至少一个源极/漏极，其中一个或多个导电接触是低轮廓局部互连的一部分，低轮廓局部互连的高度低于栅极堆叠的高度。 | ||
| 申请公布号 | CN103563086A | 申请公布日期 | 2014.02.05 |
| 申请号 | CN201280025984.8 | 申请日期 | 2012.03.12 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | S.波诺思;D.V.霍拉克;C.W.科伯格;杨智超 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 焦玉恒 |
| 主权项 | 一种结构，包括：多个场效应晶体管（100a、100b、100c），具有形成在半导体基板（101）顶部上的栅极堆叠（106），所述栅极堆叠具有形成在其侧壁的间隙壁（201）；以及一个或多个导电接触（601、602），直接形成在所述半导体基板的顶部上，并且将所述多个场效应晶体管之一的至少一个源极/漏极（202）互连到另一个所述多个场效应晶体管的至少一个源极/漏极（202），其中所述一个或多个导电接触是低轮廓局部互连（LPLI）的一部分，所述LPLI的高度低于所述栅极堆叠的高度。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||