发明名称 | 低翘曲度的半导体衬底的制备方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种低翘曲度的半导体衬底的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:提供第一衬底及第二衬底,所述第一衬底具有相对的第一表面和第二表面,所述第一表面上设置有第一绝缘层,所述第二表面上设置有第二绝缘层,所述第二衬底包括支撑层、支撑层表面的氧化层以及氧化层表面的器件层;以器件层及第一绝缘层为中间层,将第一衬底与第二衬底键合在一起;在所述第二绝缘层表面粘贴形成一保护层,所述第二绝缘层和保护层的作用在于调整所述半导体衬底的翘曲度。本发明的优点在于,在衬底的第二绝缘层表面粘贴保护层,所述保护层能够防止第二绝缘层被腐蚀,从而能有效地降低晶片的翘曲度。 | ||
申请公布号 | CN103560106A | 申请公布日期 | 2014.02.05 |
申请号 | CN201310590120.7 | 申请日期 | 2013.11.22 |
申请人 | 上海新傲科技股份有限公司 | 发明人 | 叶斐;陈猛;陈国兴 |
分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
代理机构 | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人 | 孙佳胤;翟羽 |
主权项 | 一种低翘曲度的半导体衬底的制备方法,其特征在于,包括如下步骤: 提供第一衬底及第二衬底,所述第一衬底具有相对的第一表面和第二表面,所述第一表面上设置有第一绝缘层,所述第二表面上设置有第二绝缘层,所述第二衬底包括支撑层、支撑层表面的氧化层以及氧化层表面的器件层; 以器件层及第一绝缘层为中间层,将第一衬底与第二衬底键合在一起; 在所述第二绝缘层表面粘贴形成一保护层,所述第二绝缘层和保护层的作用在于调整所述半导体衬底的翘曲度。 | ||
地址 | 201821 上海市嘉定区普惠路200号 |