钛膜之成膜方法

摘要

Ti膜之成膜方法包含：在上述载置台配置具有Si部份之被处理基板；加热被处理基板；将腔室内设为特定压力；将含有TiCl4气体及还原气体之处理气体导入至腔室内；藉由高频电场形成手段形成高频电场，依此使处理气体电浆化；和在被处理基板之表面产生藉由上述TiCl4气体及还原气体所引起之反应，藉由其反应于被处理基板之Si部份形成Ti膜之时，以抑制在被处理基板之Si部份的TiSi之生成反应之方式，控制腔室内压力及所施加之高频电力之功率。