发明名称 |
三极管框架 |
摘要 |
一种三极管框架,包括本体、基极引脚、发射极引脚、集电极引脚、中筋和底筋;所述中筋分别与所述基极引脚、所述发射极引脚和所述集电极引脚固定连接,并且所述中筋设置在所述本体和所述底筋之间;所述中筋的宽度为0.55mm~1.5mm。上述三极管框架的底筋的厚度比传统的三极管框架的底筋的厚度要薄,由于中筋设置在所述本体和所述底筋之间,通过增加中筋的宽度,可以提高三极管框架的整体强度,从而防止三极管框架因为变薄而发生变形,因此,相比于传统的三极管框架,上述三极管框架的厚度较薄,但是弯曲强度仍然保持不变。 |
申请公布号 |
CN203415572U |
申请公布日期 |
2014.01.29 |
申请号 |
CN201320542834.6 |
申请日期 |
2013.09.02 |
申请人 |
深圳市晶导电子有限公司 |
发明人 |
赖辉朋;全新;彭飞鹏 |
分类号 |
H01L23/495(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/495(2006.01)I |
代理机构 |
广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 |
代理人 |
邓云鹏 |
主权项 |
一种三极管框架,其特征在于,包括本体、基极引脚、发射极引脚、集电极引脚、中筋和底筋;所述基极引脚、所述发射极引脚和所述集电极引脚均固定在所述底筋上,所述基极引脚、所述发射极引脚和所述集电极引脚间隔设置并且所述集电极引脚位于所述基极引脚和所述发射极引脚之间;所述本体与所述集电极引脚的远离所述底筋的一端固定连接;所述中筋分别与所述基极引脚、所述发射极引脚和所述集电极引脚固定连接,并且所述中筋设置在所述本体和所述底筋之间;所述中筋的宽度为0.55mm~1.5mm;所述底筋、所述中筋、所述本体、所述基极引脚、所述发射极引脚和所述集电极引脚的厚度均相同,所述底筋的厚度为0.25mm~0.36mm。 |
地址 |
518101 广东省深圳市宝安区新安街道留仙二路鸿辉工业园三号厂房1-4层 |